(1)现有一带电量为+q、质量为m的带电粒子(重力不计)从AB边上的A点静止释放,恰好能通过E点.求CED区域内的匀强电场的电场强度E1;
(2)保持(1)问中电场强度不变,若在正方形区域ABOC中某些点静止释放与上述相同的带电粒子,要使所有的粒子都经过E点,则释放的坐标值x、y间应满足什么关系?
(3)若CDE区域内的电场强度大小变为 , 方向不变,其他条件都不变,则在正方形区域ABOC中某些点静止释放与上述相同的带电粒子,要使所有粒子都经过N点,则释放点坐标值x、y间又应满足什么关系?
(1)粒子穿越电场的时间t;
(2)粒子离开电场时的速度v;
(3)粒子离开电场时的侧移距离y;
(4)粒子离开电场时的偏角的正切值。
(1)粒子出加速电场时的速度的大小;
(2)粒子出偏转电场时的偏转距离y。
(1)电子经电压加速后的速度大小v;
(2)电子从偏转电场射出时的侧移量y;
(3)荧光屏上的点P到屏的中心位O的距离Y。
(1)求电子经过小孔S的速度大小;
(2)求电子射出偏转电场时在竖直方向上的侧移量y;
(3)若电子打在接收屏上的O点,求匀强电场的电场强度的大小。
①若未知场区只存在与y轴平行的匀强电场,则电场强度至少是多大;
②若未知场区只存在垂直纸面的匀强磁场,则磁感应强度至少是多大。
①若时,与OC方向夹角为的电子可以从BC边界穿出,求其在电场中运的时间。
②若时,若M板处电子数均匀分布,求从AB边界射出与BC射出的电子数比例。
①若电子能从BC边界射出,求y的取值范围。
②若 , 待稳定后,求电子对反射层垂直作用力F的大小。