工业上制备粗硅的反应为，若C过量，还会生成SiC．下列叙述错误的是

1. 工业上制备粗硅的反应为 $\text{[math]}$ ，若C过量，还会生成SiC．下列叙述错误的是

A. 1个CO分子内只含有1个 $\text{[math]}$ 键和2个 $\text{[math]}$ 键 B. 键能：C-H>Si-H，因此甲硅烷没有甲烷稳定 C. 键长：C-Si<Si-Si，因此熔点：SiC>Si D. 键长：C-C<Si-Si，因此C的还原性大于Si的还原性

【考点】

键能、键长、键角及其应用;

【答案】

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单选题普通

基础巩固

能力提升

变式训练

拓展培优

真题演练

换一批

1. 关于键长、键能和键角，下列说法错误的是（）

A. 通过反应物和生成物的键能数据可以粗略地预测反应热的大小 B. 键长越长，键能越小，共价化合物越稳定 C. 键角是描述分子空间结构(分子形状)的重要参数 D. 同种原子间形成的共价键键长的长短总是遵循：三键<双键>单键

单选题容易

2. HCl气体难分解是因为（）

A. HCl相对分子质量大 B. HCl分子极性强 C. H—Cl键键能大 D. H—Cl键极性强

单选题容易

1. 由键能数据大小，不能解释下列事实的是（）

化学键	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$
键能/ $\text{[math]}$	411	318	799	358	452	346	222

A. 稳定性： $\text{[math]}$ B. 键长： $\text{[math]}$ C. 熔点： $\text{[math]}$ D. 硬度：金刚石>晶体硅

单选题普通

2. 下列不能用键能解释的事实是（）

A. 晶体密度：SiO₂＞CO₂ B. 热稳定性：CH₄＞SiH₄ C. 活泼性：乙烯＞苯 D. 硬度：金刚石＞晶体硅

单选题普通

3. 下列事实不能用键能的大小来解释的是（）

A. N₂的化学性质稳定 B. H₂O比H₂S沸点高 C. HF、HCl、HBr的稳定性逐渐减弱 D. 金刚石比晶体硅的熔点高

单选题普通

1. Beckmann反应是肟指在一定条件下生成酰胺的反应，机理中与羟基处于反位的基团迁移到缺电子的氢原子上，具体反应历程如图所示。

已知：R、R′代表烷基。

下列说法不正确的是（）

A. H⁺在该反应过程中作催化剂 B. N—O—H键角：物质Ⅰ＞物质Ⅱ C. 物质Ⅲ→物质Ⅳ有配位键的形成 D.

发生上述反应生成

多选题普通

2. 关于键长、键能和键角，下列说法正确的是（）

A. C $\text{[math]}$ C键的键能等于C-C键键能的三倍 B. N₂的N $\text{[math]}$ N键非常牢固，不易断裂 C. (CN)₂分子(结构式为N $\text{[math]}$ C-C $\text{[math]}$ N)中N $\text{[math]}$ C键的键长小于C-C键的键长 D. 白磷(P₄)分子呈正四面体形结构，其键角为109°28'

多选题普通

1. 氟在已知元素中电负性最大、非金属性最强，其单质在1886年才被首次分离出来。

(1) 基态 $\text{[math]}$ 原子的核外电子排布式为。

(2) 氟氧化物 $\text{[math]}$ 、 $\text{[math]}$ 的结构已经确定。

	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$
O—O键长/pm	121	148

①依据数据推测 $\text{[math]}$ 键的稳定性： $\text{[math]}$ $\text{[math]}$ (填“>”或“<”)。

② $\text{[math]}$ 中F-O-F的键角小于 $\text{[math]}$ 中 $\text{[math]}$ 的键角，解释原因：。

(3) $\text{[math]}$ 是一种有特殊性质的氢化物。

①已知：氢键 $\text{[math]}$ 中三原子在一条直线上时，作用力最强。测定结果表明， $\text{[math]}$ 固体中 $\text{[math]}$ 分子排列成锯齿形。画出含2个HF的重复单元结构：。

② $\text{[math]}$ 中加入 $\text{[math]}$ 可以解离出 $\text{[math]}$ 和具有正四面体形结构的阴离子，写出该过程的离子方程式：。

(4) 工业上用萤石(主要成分 $\text{[math]}$ )制备 $\text{[math]}$ 。 $\text{[math]}$ 晶体的一种立方晶胞如图所示。

① $\text{[math]}$ 晶体中距离 $\text{[math]}$ 最近的 $\text{[math]}$ 有个。

②晶胞边长为 $\text{[math]}$ ，阿伏加德罗常数的值为 $\text{[math]}$ 。该晶体的密度 $\text{[math]}$ $\text{[math]}$ (列出计算式)。

综合题困难

2. 氰气的化学式为 $\text{[math]}$ ，结构式为 $\text{[math]}$ ，性质与卤素单质的相似。

(1) 1个氰气分子中含有个 $\text{[math]}$ 键、个 $\text{[math]}$ 键。

(2) 比较键长： $\text{[math]}$ 键 $\text{[math]}$ 键(填“>”或“<”)。

(3) 写出 $\text{[math]}$ 和氢氧化钠溶液反应的化学方程式。

填空题普通

3. C、N、Na、Fe是化合物中常见的元素，请回答：

(1) 下列有关描述正确的是_______。 A. Fe的基态原子简化电子排布式为 $\text{[math]}$ B. 氧化性： $\text{[math]}$ C. 电负性：N>O>C D. $\text{[math]}$ 大小： $\text{[math]}$

(2) 某钠离子电池电极材料由 $\text{[math]}$ 、 $\text{[math]}$ 、 $\text{[math]}$ 、 $\text{[math]}$ 组成，其部分结构嵌入和脱嵌 $\text{[math]}$ 过程中， $\text{[math]}$ 与 $\text{[math]}$ 含量发生变化，依次变为A、B、C三种结构，其过程如图甲所示。

①B物质中与 $\text{[math]}$ 紧邻的阴离子数为；若B作为电池的正极材料，充电时 $\text{[math]}$ 从B中(填“嵌入”或“脱嵌”)，理由是。

②写出C物质的化学式； $\text{[math]}$ 与 $\text{[math]}$ 能形成配位键，结合电子式解释形成配位键的原因。

(3) B中有 $\text{[math]}$ 、 $\text{[math]}$ ，其中 $\text{[math]}$ 周围最近且等距的 $\text{[math]}$ 有12个，图乙中“

”位置为 $\text{[math]}$ 或 $\text{[math]}$ ，用“

”补全图中1和2两个小立方体中的 $\text{[math]}$ ：(已标出两个 $\text{[math]}$ ，嵌入的 $\text{[math]}$ 未画出)。

综合题困难

1. 由键能数据大小，不能解释下列事实的是（）

化学键	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$
键能/ $\text{[math]}$	411	318	799	358	452	346	222

A. 稳定性： $\text{[math]}$ B. 键长： $\text{[math]}$ C. 熔点： $\text{[math]}$ D. 硬度：金刚石>晶体硅

单选题普通

2. 已知 $\text{[math]}$ ， $\text{[math]}$ 的酸性比 $\text{[math]}$ 强。下列有关说法正确的是（）

A. HCl的电子式为

B. Cl-Cl键的键长比I-I键短 C. $\text{[math]}$ 分子中只有σ键 D. $\text{[math]}$ 的酸性比 $\text{[math]}$ 强

多选题普通

3. 下列有关N、P及其化合物的说法错误的是（）

A. N的电负性比P的大，可推断NCl₃分子的极性比PCl₃的大 B. N与N的π键比P与P的强，可推断N≡N的稳定性比P≡P的高 C. NH₃的成键电子对间排斥力较大，可推断NH₃的键角比PH₃的大 D. HNO₃的分子间作用力较小，可推断HNO₃的熔点比H₃PO₄的低

单选题容易