Beckmann反应是肟指在一定条件下生成酰胺的反应，机理中与羟基处于反位的基团迁移到缺电子的氢原子上，具体反应历程如图所示。已知：R、R′代表烷基。下列说法不正确的是（）

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1. Beckmann反应是肟指在一定条件下生成酰胺的反应，机理中与羟基处于反位的基团迁移到缺电子的氢原子上，具体反应历程如图所示。

已知：R、R′代表烷基。

下列说法不正确的是（）

A. H⁺在该反应过程中作催化剂 B. N—O—H键角：物质Ⅰ＞物质Ⅱ C. 物质Ⅲ→物质Ⅳ有配位键的形成 D.

发生上述反应生成

【考点】

键能、键长、键角及其应用;

【答案】

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多选题普通

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换一批

1. 关于键长、键能和键角，下列说法正确的是（）

A. C $\text{[math]}$ C键的键能等于C-C键键能的三倍 B. N₂的N $\text{[math]}$ N键非常牢固，不易断裂 C. (CN)₂分子(结构式为N $\text{[math]}$ C-C $\text{[math]}$ N)中N $\text{[math]}$ C键的键长小于C-C键的键长 D. 白磷(P₄)分子呈正四面体形结构，其键角为109°28'

多选题普通

1. 由键能数据大小，不能解释下列事实的是（）

化学键	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$
键能/ $\text{[math]}$	411	318	799	358	452	346	222

A. 稳定性： $\text{[math]}$ B. 键长： $\text{[math]}$ C. 熔点： $\text{[math]}$ D. 硬度：金刚石>晶体硅

单选题普通

2. 下列不能用键能解释的事实是（）

A. 晶体密度：SiO₂＞CO₂ B. 热稳定性：CH₄＞SiH₄ C. 活泼性：乙烯＞苯 D. 硬度：金刚石＞晶体硅

单选题普通

3. 下列事实不能用键能的大小来解释的是（）

A. N₂的化学性质稳定 B. H₂O比H₂S沸点高 C. HF、HCl、HBr的稳定性逐渐减弱 D. 金刚石比晶体硅的熔点高

单选题普通

1. 铁、锰、铬、铜等金属及其化合物在科学研究和工业生产中用途广泛。请回答下列问题：

(1) 基态铁原子中最高能层符号为，其最外层电子所占据轨道的电子云轮廓图为形。

(2) 锰和铬的第一电离能分别为 $\text{[math]}$ 和 $\text{[math]}$ ，而锰、铬的第二电离能分别为 $\text{[math]}$ 、 $\text{[math]}$ ，从核外电子排布角度解释铬的第二电离能比锰大的原因：。

(3) 烟酸铬(Ⅲ)可促进动物生长发育和蛋白质合成，在工业上主要用作饲料添加剂、医药保健品、食品添加剂等，其结构如图所示。

①该配合物中的配体有种。

②C、N、O三种元素形成的最简单氢化物的键角由大到小的顺序是(填化学式)，原因为。

(4) 铜的某种常见氧化物的晶胞结构如图，已知晶胞棱长为 $\text{[math]}$ ， 1号 $\text{[math]}$ 原子的坐标为 $\text{[math]}$ ， 3号 $\text{[math]}$ 原子的坐标为 $\text{[math]}$ ，设 $\text{[math]}$ 为阿伏加德罗常数的值。

①Cu原子的配位数为。

②2号原子的坐标为。

③该晶体的密度为 $\text{[math]}$ 。

综合题普通

2. 氮化家(GaN)是具有优异光电性能的第三代半导体材料。利用炼锌矿渣[主要含铁酸锌ZnFe₂O₄ ，铁酸家Ga₂(Fe₂O₄)₃、SiO₂]制备GaN并回收金属元素的一种工艺流程如下图：

已知：Ga³⁺、Fe³⁺在该工艺条件下的反萃取率(进入水相中金属离子的百分数)与盐酸浓度的关系见下表。

盐酸浓度(mol/L)	反萃取率(%)
盐酸浓度(mol/L)	Ga³⁺	Fe³⁺
2	86.9	9.4
4	69.1	52.1
6	17.5	71.3

回答下列问题：

(1) 下列家的微粒电离一个电子所需能量最高的是_______(填标号)。 A.

(2) “酸浸”所得浸出液中Zn²⁺ ， Ga³⁺社浓度分别为1mol/L和0.003mol/L。常温下，为尽可能多地提取Ga³⁺同时确保不混入Zn(OH)₂ ， “调pH”时须：4≤pH<(假设调pH时溶液体积不变)。已知常温下，K_sp[Zn(OH)₂]=10^-16.6 ， K_sp[Ga(OH)₃]=10^-35。

(3) “脱铁”和“反萃取”时，所用盐酸的浓度c₁c₂(填“>”、 “=”或“<”)。

(4) 由Ga制备Ga(CH₃)₃的部分工艺如下图：

已知：(ⅰ)Et₂O(乙醚)和NR(三正辛胺)均为配体；

(ⅱ)Ga(CH₃)₃沸点：55.7℃。Et₂O沸点：34.6℃，NR₃沸点：365.8℃。

①比较分子中的C—Ga—C键角大小：Ga(CH₃)₃Ga(CH₃)₃(Et₂O) (填“>”、 “=”或“<”)。

②直接分解Ga(CH₃)₃(Et₂O)不能制备超纯Ga(CH₃)₃ ，采用“配体交换”工艺制备超纯Ga(CH₃)₃的理由是。

(5) MOCVD法是通过Ga(CH₃)₃与NH₃反应得到GaN和另一种产物，写出该反应的化学方程式：。

(6) GaN晶体的一种六方晶胞如下图所示。该晶体的密度为g/cm³(列出计算式，N_A为阿伏加德罗常数的值)。

流程题普通

3. $\text{[math]}$ 在工业生产中常用作漂白剂、脱色剂、消毒剂、拔染剂等。实验室中可用 $\text{[math]}$ 和NaOH混合溶液吸收 $\text{[math]}$ 的方法制取 $\text{[math]}$ ，现利用如下装置及试剂制备 $\text{[math]}$ 晶体：

已知：① $\text{[math]}$ 饱和溶液在温度低于38℃时析出的晶体是 $\text{[math]}$ 高于38℃时析出的晶体是 $\text{[math]}$ ，高于60℃时 $\text{[math]}$ 分解成 $\text{[math]}$ 和NaCl。

② $\text{[math]}$ 气体浓度较大时易发生爆炸。

(1) A装置中仪器a的名称为。

(2) 装置A中生成 $\text{[math]}$ 的化学方程式为。

(3) 关于装置C及后续操作的下列说法中，错误的是___________。 A. 装置C中 $\text{[math]}$ 作氧化剂 B. 为获得 $\text{[math]}$ 晶体，可将C试管中的溶液在55℃蒸发浓缩结晶并趁热过滤 C. 用50℃左右温水洗涤所得晶体 D. 高温烘干过滤后所得滤渣即可得到产物

(4) 仪器A中 $\text{[math]}$ 需稍微过量，原因是。

(5) 实验过程中，常需要打开 $\text{[math]}$ ，鼓入一定量空气。该操作的目的是。

(6) Cl和O可形成另一种化合物 $\text{[math]}$ ，中心原子为O， $\text{[math]}$ 的VSEPR模型是； $\text{[math]}$ 键角比 $\text{[math]}$ 键角(填“大”“小”或“相等”)。

(7) $\text{[math]}$ 纯度的测定：用“间接碘量法”测定样品(杂质与 $\text{[math]}$ 不发生反应)的纯度，过程如下：取样品1.810g配制成250mL溶液，从中取出25.00mL；加入足量KI固体和适量稀 $\text{[math]}$ ，再滴加几滴淀粉溶液(已知： $\text{[math]}$ )，然后用 $\text{[math]}$ 标准溶液滴定至终点，重复2次，测得消耗标准溶液的体积平均值为VmL(已知： $\text{[math]}$ )样品中 $\text{[math]}$ 的纯度为%(用含c、V的代数式表示)。

实验探究题普通

1. 由键能数据大小，不能解释下列事实的是（）

化学键	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$
键能/ $\text{[math]}$	411	318	799	358	452	346	222

A. 稳定性： $\text{[math]}$ B. 键长： $\text{[math]}$ C. 熔点： $\text{[math]}$ D. 硬度：金刚石>晶体硅

单选题普通

2. 已知 $\text{[math]}$ ， $\text{[math]}$ 的酸性比 $\text{[math]}$ 强。下列有关说法正确的是（）

A. HCl的电子式为

B. Cl-Cl键的键长比I-I键短 C. $\text{[math]}$ 分子中只有σ键 D. $\text{[math]}$ 的酸性比 $\text{[math]}$ 强

多选题普通

3. 下列有关N、P及其化合物的说法错误的是（）

A. N的电负性比P的大，可推断NCl₃分子的极性比PCl₃的大 B. N与N的π键比P与P的强，可推断N≡N的稳定性比P≡P的高 C. NH₃的成键电子对间排斥力较大，可推断NH₃的键角比PH₃的大 D. HNO₃的分子间作用力较小，可推断HNO₃的熔点比H₃PO₄的低

单选题容易