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1. 镓与ⅤA族元素形成的化合物是重要的半导体材料，应用最广泛的是砷化镓(GaAs)。回答下列问题：
(1) 基态Ga原子的核外电子排布式为，基态As原子核外有个未成对电子。
(2) 镓失去电子的逐级电离能(单位：kJ·mol-1)的数值依次为577、1985、2962、6192，由此可推知镓的主要化合价为和+3。砷的电负性比镓(填“大”或“小”)。
(3) 比较下列镓的卤化物的熔点和沸点，分析其变化规律及原因：。

镓的卤化物

GaCl3

GaBr3

GaI3

熔点/℃

77.75

122.3

211.5

沸点/℃

201.2

279

346

GaF3的熔点超过1000℃，可能的原因是。
(4) 二水合草酸镓的结构如图所示，其中镓原子的配位数为，草酸根中碳原子的杂化方式为。
(5) 砷化镓熔点为1238℃，立方晶胞结构如图所示，晶胞参数为a=565pm，该晶体的类型为，晶体的密度为(设NA 为阿伏加德罗常数的数值，列出算式即可)g·cm-3。
【考点】
原子轨道杂化方式及杂化类型判断;
【答案】

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1. 我国在新材料领域研究的重大突破，为“天宫”空间站的建设提供了坚实的物质基础。回答下列问题：
(1) 下列不同状态的硼中，失去一个电子需要吸收能量最多的是（填标号，下同），用光谱仪可捕捉到发射光谱的是。

A． B． C． D．
(2) IMI的结构为 ， IMI中大π键可表示为 ， 分子中2号N原子的杂化方式为，p轨道有孤电子对的N原子是。（填“1号N原子”或“2号N原子”）
(3) 镍能形成多种配合物，其中Ni(CO)4是无色挥发性液体，K2[Ni(CN)4]是红黄色单斜晶体。K2[Ni(CN)4]的熔点高于Ni(CO)4的原因是。
(4) CeO2是重要的稀土抛光材料，图甲为理想的CeO2的立方晶胞模型，但是几乎不存在完美的晶型，实际晶体中常存在缺陷（如图乙）。

已知：CeO2缺陷晶型中X处原子的分数坐标为（0，0，0），Y处原子的分数坐标为 ， 则氧空位处原子的分数坐标为，该缺陷晶型的化学式可表示为。设阿伏加德罗常数的值为NA ， CeO2理想晶型的密度为 ， 则Ce原子与O原子的最近距离为pm（列出表达式）。
综合题 普通
2. 众多化学储氢材料中，硼化合物含有大量的氢原子，易水解释放出大量的氢气和对环境无害的副产物 ， 近年来各类报道表明，目前用于制氢的硼化合物主要非常有应用潜力的车载储氢材料之一，其具有储氢含量高(19.6%)、安全无毒、低分子量以及在水溶液中长期稳定等特点。回答下列问题：
(1) 中所含元素电负性由大到小的顺序为，中阴离子的空间构型为。
(2) 某研究团队采用氯化铵与反应制得氨基配合物 ， 下其与在无水四氢呋喃()中反应一段时间，得到纯度大于的氨硼烷。中配位数为，四氢呋喃中所含键数目为(用含的代数式表示)。四氢呋喃中氧原子的杂化方式为。
(3) 氨硼烷水解释放氢气，在等催化剂条件下进行，其反应方程式为。其中中所含孤电子对数目为(用含的代数式表示)，中键角(填“大于”“小于”或“等于”)，是的简写形式，中含有一个六元环状结构，写出的结构式：。
(4) 偏硼酸可由硼酸受热脱水获得，偏硼酸的一种变体具有片层结构(由三聚单元组成)，其片层结构如图所示，在该片层结构中将三聚单元连接成层的作用力为。
综合题 普通
3. B、N、Co均为新型材料的重要组成元素。请回答下列问题：
(1) 基态Co原子核外电子占据种不同的能级，其中有个未成对电子。
(2) Co 能形成[Co(CNO)6]3-。

①1mol 该离子中含有σ键的数目为。

②与CNO-互为等电子体的分子为（填化学式，任写一种）

③C、N、O 三种基态原子的第一电离能由大到小的顺序为（用元素符号表示）。

④相同压强下，CO 晶体的熔点高于N2 晶体的原因为。
(3) 多硼酸根的结构之一为链状（如图1），化学式为，其中B原子的杂化形式为。

 
(4) BN 晶体有多种结构，其中立方氮化硼具有金刚石型结构（如图2）。

①晶体的最小环中含有个B原子。

②若晶胞参数为a nm，晶胞密度为ρg·cm-3 ， 则阿伏加德罗常数的值可表示为。
综合题 普通