A. B. C. D.
已知:CeO2缺陷晶型中X处原子的分数坐标为(0,0,0),Y处原子的分数坐标为 , 则氧空位处原子的分数坐标为,该缺陷晶型的化学式可表示为。设阿伏加德罗常数的值为NA , CeO2理想晶型的密度为 , 则Ce原子与O原子的最近距离为pm(列出表达式)。
①1mol 该离子中含有σ键的数目为。
②与CNO-互为等电子体的分子为(填化学式,任写一种)
③C、N、O 三种基态原子的第一电离能由大到小的顺序为(用元素符号表示)。
④相同压强下,CO 晶体的熔点高于N2 晶体的原因为。
①晶体的最小环中含有个B原子。
②若晶胞参数为a nm,晶胞密度为ρg·cm-3 , 则阿伏加德罗常数的值可表示为。
镓的卤化物
GaCl3
GaBr3
GaI3
熔点/℃
77.75
122.3
211.5
沸点/℃
201.2
279
346
GaF3的熔点超过1000℃,可能的原因是。
已知:
回答下列问题:
i.含苯环且苯环上只有一个取代基
ii.红外光谱无醚键吸收峰
其中,苯环侧链上有3种不同化学环境的氢原子,且个数比为6∶2∶1的结构简式为(任写一种)。