1. 的晶胞结构如图甲所示,将掺杂到的晶体中得到稀磁性半导体材料如图乙所示。下列说法中错误的是

A. 图甲中原子位于原子构成的正四面体空隙中,填充率为 B. 图乙中,a的分数坐标为 , c点的分数坐标为 C. 图甲中,的相对分子质量为M,晶体密度为表示阿伏加德罗常数,则晶胞中距离最近的两个原子间距离为 D. 掺杂之后,晶体中的原子个数比为
【考点】
晶胞的计算;
【答案】

您现在未登录,无法查看试题答案与解析。 登录
单选题 普通
基础巩固
能力提升
变式训练
拓展培优
真题演练
换一批