熔点/℃
26
146
沸点/℃
83.1
186
约400
①原子坐标参数,表示晶胞内部各原子的相对位置。下图为Ge单晶的晶胞,其中原子坐标参数A为;C为。则B原子的坐标参数为。
②晶胞参数,描述晶胞的大小和形状。已知Ge单晶的晶胞参数 , 其密度为(列出计算式即可)。
A. B. C. D.
已知:CeO2缺陷晶型中X处原子的分数坐标为(0,0,0),Y处原子的分数坐标为 , 则氧空位处原子的分数坐标为,该缺陷晶型的化学式可表示为。设阿伏加德罗常数的值为NA , CeO2理想晶型的密度为 , 则Ce原子与O原子的最近距离为pm(列出表达式)。
回答下列问题:
a.同系物 b.同素异形体 c.同分异构体
SiF4
SiCl4
SiBr4
SiI4
熔点/K
183.0
203.2
278.6
393.7
沸点/K
187.2
330.8
427.2
560.7
SiF4、SiCl4、SiBr4、SiI4沸点依次升高的原因是。
设阿伏加德罗常数的值为 , 晶胞的参数为a nm。晶胞的密度为(用含a、的代数式表示)。