锗(Ge)是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛。请回答下列问题：

1. 锗(Ge)是典型的半导体元素，在电子、材料等领域应用广泛。请回答下列问题：

(1) 基态锗原子的核外电子排布式为[Ar]，有个未成对电子。

(2) Ge与C是同族元素，C原子之间可以形成双键、三键，但Ge原子之间难以形成双键或三键。从原子结构的角度分析，原因是。

(3) 比较下列锗卤化物的熔点和沸点，分析变化的规律及原因。

(4) 光催化还原 $\text{[math]}$ 制备 $\text{[math]}$ 反应中，带状纳米 $\text{[math]}$ 是该反应的良好催化剂。Zn、Ge、O电负性由大到小的顺序是。

(5) Ge单晶具有金刚石型结构，其中Ge原子的杂化方式为，微粒之间存在的作用力是。

(6) 晶胞有两个基本要素：

①原子坐标参数，表示晶胞内部各原子的相对位置。下图为Ge单晶的晶胞，其中原子坐标参数A为 $\text{[math]}$ ；C为 $\text{[math]}$ 。则B原子的坐标参数为。

②晶胞参数，描述晶胞的大小和形状。已知Ge单晶的晶胞参数 $\text{[math]}$ ，其密度为 $\text{[math]}$ (列出计算式即可)。

【考点】

原子核外电子排布; 分子晶体; 晶胞的计算; 原子轨道杂化方式及杂化类型判断;

【答案】

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综合题普通

①原子中运动的电子有两种相反的自旋状态，若一种自旋状态用 $\text{[math]}$ 表示，与之相反的用 $\text{[math]}$ 表示，称为电子的自旋磁量子数。对于基态的磷原子，其价电子自旋磁量子数的代数和为。

②分别用○、●表示 $\text{[math]}$ 和 $\text{[math]}$ ， $\text{[math]}$ 晶体的四方晶胞如图(a)所示，图(b)、图(c)分别显示的是 $\text{[math]}$ 、 $\text{[math]}$ 在晶胞xz面、yz面上的位置：

若晶胞底边的边长均为a pm、高为c pm，阿伏加德罗常数的值为 $\text{[math]}$ ，晶体的密度为 $\text{[math]}$ (写出计算式即可)。晶胞在x轴方向的投影图为(填标号)。

综合题困难

A	基态原子核外2p轨道上有1个自旋状态与2p轨道上其他电子相反的电子
B	基态原子核外有6个原子轨道排有电子，且只有1个未成对电子
C	基态原子的价层电子排布式为 $\text{[math]}$
D	前36号元素中，D元素基态原子未成对电子数最多
E	基态 $\text{[math]}$ 各能级电子全充满

请根据以上情况，回答下列问题：

综合题普通

①此元素原子的电子总数是；②有个能层，个能级；

①Cl^－：；

②C：；

综合题普通