1.
氮化家(GaN)是具有优异光电性能的第三代半导体材料。利用炼锌矿渣[主要含铁酸锌ZnFe2O4 ， 铁酸家Ga2(Fe2O4)3、SiO2]制备GaN并回收金属元素的一种工艺流程如下图：
已知：Ga3+、Fe3+在该工艺条件下的反萃取率(进入水相中金属离子的百分数)与盐酸浓度的关系见下表。
盐酸浓度(mol/L) | 反萃取率(%) | |
Ga3+ | Fe3+ | |
2 | 86.9 | 9.4 |
4 | 69.1 | 52.1 |
6 | 17.5 | 71.3 |
回答下列问题：
(1)
下列家的微粒电离一个电子所需能量最高的是_______(填标号)。
A.
B.
C.
D.
(2)
“酸浸”所得浸出液中Zn2+ ， Ga3+社浓度分别为1mol/L和0.003mol/L。常温下，为尽可能多地提取Ga3+同时确保不混入Zn(OH)2 ， “调pH”时须：4≤pH<(假设调pH时溶液体积不变)。已知常温下，Ksp[Zn(OH)2]=10-16.6 ， Ksp[Ga(OH)3]=10-35。
(3)
“脱铁”和“反萃取”时，所用盐酸的浓度c1c2(填“>”、 “=”或“<”)。
(4)
由Ga制备Ga(CH3)3的部分工艺如下图：
(5)
MOCVD法是通过Ga(CH3)3与NH3反应得到GaN和另一种产物，写出该反应的化学方程式：。
(6)
GaN晶体的一种六方晶胞如下图所示。该晶体的密度为g/cm3(列出计算式，NA为阿伏加德罗常数的值)。
B.
C.
D.
已知：(ⅰ)Et2O(乙醚)和NR(三正辛胺)均为配体；
(ⅱ)Ga(CH3)3沸点：55.7℃。Et2O沸点：34.6℃，NR3沸点：365.8℃。
①比较分子中的C—Ga—C键角大小：Ga(CH3)3Ga(CH3)3(Et2O) (填“>”、 “=”或“<”)。
②直接分解Ga(CH3)3(Et2O)不能制备超纯Ga(CH3)3 ， 采用“配体交换”工艺制备超纯Ga(CH3)3的理由是。
【考点】
键能、键长、键角及其应用;
晶胞的计算;
难溶电解质的溶解平衡及沉淀转化的本质;
