如图甲所示，虚线是斜面上平行于斜面底端的一条直线，上方存在垂直于斜面向上的匀强磁场，磁感应强度B随时间t的变化规律如图乙所示。时刻将一单匝正方形导体框自与距离处由静止释放，直至导体框完全穿出磁场的过程中其速度一时间图像如图丙所示。已知斜面倾角，导体框与斜面间的动摩擦因数，运动中导体框底边与始终平行，导体框质量，电阻，边长，重力加速度。设从释放至导体框穿出磁场的过程中，整个导体框所受安培力大小为F，回路中产生的焦耳热的功率为P，通过导体框的电流为I，导体框的机械能为E（释放处），沿斜面下滑的位移为x，则下列图像正确的是（　　）

1. 如图甲所示，虚线 $\text{[math]}$ 是斜面上平行于斜面底端的一条直线， $\text{[math]}$ 上方存在垂直于斜面向上的匀强磁场，磁感应强度B随时间t的变化规律如图乙所示。 $\text{[math]}$ 时刻将一单匝正方形导体框自与 $\text{[math]}$ 距离 $\text{[math]}$ 处由静止释放，直至导体框完全穿出磁场的过程中其速度一时间图像如图丙所示。已知斜面倾角 $\text{[math]}$ ，导体框与斜面间的动摩擦因数 $\text{[math]}$ ，运动中导体框底边与 $\text{[math]}$ 始终平行，导体框质量 $\text{[math]}$ ，电阻 $\text{[math]}$ ，边长 $\text{[math]}$ ，重力加速度 $\text{[math]}$ 。设从释放至导体框穿出磁场的过程中，整个导体框所受安培力大小为F，回路中产生的焦耳热的功率为P，通过导体框的电流为I，导体框的机械能为E（释放处 $\text{[math]}$ ），沿斜面下滑的位移为x，则下列图像正确的是（　　）

A.

B.

C.

D.

【考点】

电磁感应中的磁变类问题;

【答案】

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多选题困难

1. 某科技馆设计了一种磁力减速装置，简化为如题图所示模型。在小车下安装长为L、总电阻为R的正方形单匝线圈，小车和线圈总质量为m。小车从静止开始沿着光滑斜面下滑s后，下边框刚进入匀强磁场时，小车开始做匀速直线运动。已知斜面倾角为θ，磁场上下边界的距离为L，磁感应强度大小为B，方向垂直斜面向上，重力加速度为g，则（　　）

A. 线圈通过磁场过程中，感应电流方向先顺时针后逆时针方向（俯视） B. 线框在穿过磁场过程中产生的焦耳热为 $\text{[math]}$ C. 线框刚进入磁场上边界时，感应电流的大小为 $\text{[math]}$ D. 小车和线圈的总质量为 $\text{[math]}$

多选题容易

2. 如图所示，等腰直角三角形线框ADC静止在光滑绝缘的水平面上，线框AD边长为L，线框电阻为R，单边有界磁场垂直于水平面向下，磁场的磁感应强度大小为B，使线框以大小为v₀的速度向右匀速进入磁场，线框运动过程中AD边始终与磁场边界平行，则线框进入磁场的过程中（　　）

A. 受到的安培力随时间均匀增大 B. 受到的安培力方向与速度不在一条直线上 C. AD边的电势差均匀增大 D. 线框中的平均电流大小为 $\text{[math]}$

多选题容易