石墨是层状晶体，每一层内碳原子排列成正六边形，一个个六边形排列成平面的网状结构．如果将每对相邻原子间的化学键看成是一个化学键，则石墨晶体每一层内碳原子数与碳﹣碳化学键数的比是（　　）

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1. 石墨是层状晶体，每一层内碳原子排列成正六边形，一个个六边形排列成平面的网状结构．如果将每对相邻原子间的化学键看成是一个化学键，则石墨晶体每一层内碳原子数与碳﹣碳化学键数的比是（　　）

A. 1：1 B. 1：2 C. 1：3 D. 2：3

【考点】

原子晶体（共价晶体）;

【答案】

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单选题容易

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1. 下列物质形成的晶体中，属于原子晶体的是（）

A. SiO₂ B. NaCl C. 干冰 D. 冰

单选题容易

1. 氮氧化铝（AlON）是一种高硬度防弹材料，可以在高温下由反应Al₂O₃+C+N₂=2AlON+CO合成，下列有关说法合理的是（）

A. 上述反应中氮气作还原剂 B. 氮氧化铝中氮元素的化合价是-3 C. 氮氧化铝晶体中的作用力是范德华力 D. 根据氮氧化铝晶体的硬度可推断其晶体类型可能与石英相同

单选题普通

2. 氮化硅（Si₃N₄）是一种新型的耐高温耐磨材料，在工业上有广泛用途，它属于（）

A. 原子晶体 B. 分子晶体 C. 金属晶体 D. 离子晶体

单选题普通

3. 美国《科学》杂志报道：在超高压下，科学家用激光器将CO₂加热到1800K，成功制得了类似石英的CO₂原子晶体．下列关于CO₂晶体的叙述中不正确的是（　　）

A. 晶体中C、O原子个数比为1：2 B. 该晶体的熔点、沸点高、硬度大 C. 晶体中C﹣O﹣C键角为180° D. 晶体中C、O原子最外层都满足8电子结构

单选题普通

（1）如图所示表示一些晶体的结构（或晶胞），其中代表石墨是　　；每一层内碳原子数与C﹣C化学键之比是　　．

（2）MgO晶胞空间构型与NaCl晶体相同，MgO晶体中Mg²⁺的配位数为　　与同个Mg²⁺等距且最近的O²^﹣围成的空间几何构型是．MgO晶体熔点高于NaCl晶体，原因是　

（3）若C、D代表某种元素中的两种同素异形体，C中原子的杂化类型是　，D能导电的原因是

填空题普通

1. 磷及其化合物在工业生产中起着重要的作用。

(1) 基态磷原子价电子的轨道表示式是。

(2) 磷元素有白磷、黑磷等常见的单质。

①白磷( $\text{[math]}$ )是分子晶体，易溶于 $\text{[math]}$ ，难溶于水，可能原因是。

②黑磷晶体是一种比石墨烯更优秀的新型材料，其晶体是与石墨类似的层状结构，如图所示。下列有关黑磷晶体的说法正确的是(填序号)。

a．层与层之间的作用力是共价键

b．分子中磷原子杂化方式为 $\text{[math]}$ 杂化

c．是混合型晶体

(3) $\text{[math]}$ 与水会形成黄色的配离子 $\text{[math]}$ ，为避免颜色干扰，常在 $\text{[math]}$ 溶液中加入 $\text{[math]}$ 形成无色的 $\text{[math]}$ 。由此推测与 $\text{[math]}$ 形成的配离子更稳定的配体是，其空间构型是。

(4) 第ⅢA族磷化物均为共价化合物，被广泛用于高温技术、新型电子产品等领域。

物质	磷化铝(AlP)	磷化镓(GaP)	磷化铟(InP)
熔点/℃	2000	1465	1070

从结构角度说明表中三种物质熔点差异的原因。

(5) 过硼酸钠 $\text{[math]}$ 被用于洗衣粉中作增白剂，其阴离子结构如图所示，该物质可用于增白的原因是。

综合题普通

2. 氮元素能与金属或者非金属元素形成种类繁多、应用广泛的化合物。

(1) 基态N原子的价层电子轨道表示式是。

(2) 与碳氢化合物类似，N、H两元素之间也可以形成氮烷、氮烯。

①在最简单的氮烯分子中，N的杂化方式是。

② $\text{[math]}$ 具有很强的还原性，是常用的火箭推进剂，它在常温常压下为无色液体。判断 $\text{[math]}$ 是否溶于水并说明理由。

(3) 配合物 $\text{[math]}$ 可用作广谱杀菌剂，其中Cu属于区元素，该配合物中的配位原子是，配位数是。

(4) $\text{[math]}$ 的某种晶体结构中，原子间均以单键结合，其硬度比金刚石大，原因是。

(5) $\text{[math]}$ 和 $\text{[math]}$ 形成的化合物是一种重要的半导体材料。其某种晶胞形状为立方体，边长为 $\text{[math]}$ ，结构如图所示。

①距离 $\text{[math]}$ 最近的 $\text{[math]}$ 有个。

②已知阿伏加德罗常数为 $\text{[math]}$ ，氮化镓(GaN)的摩尔质量为 $\text{[math]}$ ，该晶体的密度表达式为 $\text{[math]}$ ( $\text{[math]}$ )。

综合题普通

3. GaN是制造微电子器件，光电子器件的新型半导体材料。综合利用炼锌矿渣{主要含铁酸镓[ $\text{[math]}$ ]、铁酸锌( $\text{[math]}$ )，还含少量Fe及一些难溶于酸的物质}获得金属盐，并进一步利用镓盐制备具有优异光电性能的氮化镓(GaN)，部分工艺流程如图。

已知：① $\text{[math]}$ 在酸性条件下不稳定，易转化为 $\text{[math]}$ 。

②常温下，“浸出液”中的金属离子对应的氢氧化物的溶度积常数如下表，离子浓度小于 $\text{[math]}$ 时可视为沉淀完全。

氢氧化物	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$
$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$	$\text{[math]}$

③ $\text{[math]}$ ， $\text{[math]}$ 。

回答下列问题：

(1) 为提高浸出率，可采取的措施为(填标号)。

a．将矿渣粉碎 b．降低温度 c．把稀硫酸换成浓硫酸 d．延长浸出时间

(2) 已知纤锌矿结构的GaN晶胞结构与金刚石结构类似，则该种GaN晶体的类型为，基态Ga原子价层电子的轨道表示式为。

(3) $\text{[math]}$ 与稀硫酸反应的化学方程式为。

(4) “调pH”时需调节溶液pH的最小值为。

(5) 检验“滤液1”中是否含有 $\text{[math]}$ 的试剂为(填名称)。

(6) 电解反萃取液(溶质为 $\text{[math]}$ )制粗镓的装置如图所示，阳极的电极反应式为，电解废液经处理后可循环使用，其主要溶质为(填化学式)。

(7) 采用MOCVD(金属有机化合物化学气相沉积)技术制备GaN时，反应会产生一种标准状况下密度约为 $\text{[math]}$ 的可燃性气体，写出该反应的化学方程式：(不写条件)。

流程题普通

1. $\text{[math]}$ 、 $\text{[math]}$ 属于第三代半导体材料，二者成键结构与金刚石相似，晶体中只存在 $\text{[math]}$ 键、 $\text{[math]}$ 键。下列说法错误的是（）

A. $\text{[math]}$ 的熔点高于 $\text{[math]}$ B. 晶体中所有化学键均为极性键 C. 晶体中所有原子均采取 $\text{[math]}$ 杂化 D. 晶体中所有原子的配位数均相同

单选题普通

2. 下列各组物质的晶体类型相同的是（）

A. SiO₂和SO₃ B. I₂和NaCl C. Cu和Ag D. SiC和MgO

单选题容易

3. 下列说法正确的是（）

A. CaCl₂中既有离子键又有共价键，所以CaCl₂属于离子化合物 B. H₂O汽化成水蒸气、分解为H₂和O₂ ，都需要破坏共价键 C. C₄H₁₀的两种同分异构体因为分子间作用力大小不同，因而沸点不同 D. 水晶和干冰都是共价化合物，均属于原子晶体

单选题普通