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1. 一种可为运动员补充能量的物质,其分子结构式如图。已知R、W、Z、X、Y为原子序数依次增大的短周期主族元素,Z和Y同族,则( )
A.
沸点:
B.
最高价氧化物的水化物的酸性:
C.
第一电离能:
D.
和
空间结构均为平面三角形
【考点】
元素电离能、电负性的含义及应用; 判断简单分子或离子的构型; 元素周期表中原子结构与元素性质的递变规律;
【答案】
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单选题
普通
能力提升
拓展培优
换一批
1. 下列说法错误的是( )
A.
原子半径:
B.
第一电离能:
C.
在水中的溶解度:苯<苯酚
D.
苯和苯酚中C的杂化方式相同
单选题
普通
2. 工业上用C还原SiO
2
可得半导体材料Si和CO。下列说法正确的是
A.
键能大小:E(C-C)<E(Si-Si)
B.
电离能大小:I
1
(Si)<I
1
(O)
C.
电负性大小:x(O)<x(C)
D.
酸性强弱:H
2
CO
3
<H
2
SiO
3
单选题
普通
3. 下列是几种基态原子的电子排布式,电负性最大的是( )
A.
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
2
B.
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
3
C.
1s
2
2s
2
2p
6
3s
2
3p
6
4s
2
D.
1s
2
2s
2
2p
4
单选题
普通
1. X、Y、Z、W、M是原子序数依次增大的5种短周期元素。非金属元素X的核外电子数等于其周期数;Y与M的基态原子的未成对电子数均为2,且两者的最简单氢化物的空间结构均为V形;Z元素的电负性是同周期中最大的;W元素原子核外s能级上的电子总数与p能级上的电子总数相等。请回答下列问题:
(1)
Y、Z、W、M的简单离子半径由大到小的顺序为
(填离子符号)。
(2)
X、Y、Z、W的电负性由大到小的顺序为
(填元素符号,下同)。
(3)
Z与M相比第一电离能比较大的是
,其基态原子的电子排布式为
。
(4)
的空间结构为
,其晶体类型为
。
(5)
X~M中某种元素的部分电离能(用
、
……表示,单位
)数据如表:
I
……
电离能
738
1451
7733
10540
①由此可判断该元素是
(填元素符号),其最高正价为
。
②该元素的电离能越来越大的原因是
。
推断题
普通
2. A、B、C、D
为原子序数依次增大的四种元素,A
2-
和B
+
具有相同的电子构型;C、D为同周期元素,C核外电子总数是最外层电子数的3倍;D元素最外层有一个未成对电子。回答下列问题:
(1)
四种元素中电负性最大的是
(填元素符号),其中C原子的核外电子排布式为
。
(2)
单质
有两种同素异形体,其中沸点高的是
(填分子式),原因是
;A和B的氢化物所属的晶体类型分别为
和
。
(3)
C和D反应可生成组成比为1:3的化合物E,E的立体构型为
,中心原子的杂化轨道类型为
。
(4)
化合物D
2
A的立体构型为
,中心原子的价层电子对数为
,单质
与湿润的Na
2
CO
3
反应可制备D
2
A,其化学方程式为
。
综合题
普通
3. 砷化镓(GaAs)是优良的半导体材料,可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等。回答下列问题:
(1)
写出基态As原子的核外电子排布式
。
(2)
根据元素周期律,原子半径Ga
As,第一电离能Ga
As。(填“大于”或“小于”)
(3)
AsCl
3
分子的立体构型为
,其中As的杂化轨道类型为
。
(4)
GaF
3
的熔点高于1 000 ℃,GaCl
3
的熔点为77.9 ℃,其原因是
。
(5)
GaAs的熔点为1 238 ℃,密度为
ρ
g·cm
-3
, 其晶胞结构如图所示。该晶体的类型为
,Ga与As以
键键合。Ga和As的摩尔质量分别为
M
Ga
g·mol
-1
和
M
As
g·mol
-1
, 原子半径分别为
r
Ga
pm和
r
As
pm,阿伏加德罗常数值为
N
A
, 则GaAs晶胞中原子的体积占晶胞体积的百分率为
。
综合题
普通